 
    主要型號:
| 型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 | 
| MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 | 
| MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
| MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 | 
主(zhǔ)要特(tè)點:
   A 可選擇三角波、矩形波、正(zhèng)弦波三種波形(xíng),波(bō)形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
   B輸出(chū)電壓範圍:-40V~+40V。
   C波形頻率(lǜ)範圍:0.1-50Hz
   D三角波、矩形波占空比10%~90%
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接(jiē)口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作(zuò)為功率開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完(wán)善。
該係列產品采用先進的(de)DSP控製係統,充(chōng)分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功(gōng)能(néng),
具(jù)有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了靶(bǎ)麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方(fāng)便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴(kuò)展(zhǎn)功能(néng),方(fāng)便實現自動化控製。
主要用途:
MS係列勵磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多(duō)弧(hú)靶外(wài)圍磁場線圈,產生周期性可變磁磁(cí)場,使多弧輝光由(yóu)原來的集中放電變為均勻放電(diàn),提高工件膜層質量

現在工業區,在範圍上擴展的是越來越(yuè)廣,跟隨91av行業的發展(zhǎn),現在機械設備研發的是越來越多,當然啦,研發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到的啦,在範(fàn)圍上,在數(shù)量(liàng)上都不會少,現(xiàn)在91av來了解下真空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉的(de)光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼(yǎn)鏡、放大鏡(jìng)等,它們都離不開鍍膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲領域中:薄膜材料作(zuò)為信息記錄(lù)於存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很(hěn)薄,可以(yǐ)忽略渦(wō)流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平(píng)行的雙穩態狀態(tài)容易保持等。為了更精密(mì)地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵(miàn):在傳(chuán)感器中,多采用那些電氣性質相對於物理量、化學量及(jí)其變化來(lái)說,極為敏感的半導體材(cái)料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表麵、界麵的性質,需(xū)要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因此,采用薄膜的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電(diàn)極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金(jīn))等,多(duō)是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核心技術(shù)之一。
 
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