武漢MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點（diǎn）：

   A 采用先進的電流型開（kāi）關（guān）電源技術，減小輸出儲能元（yuán）件，
同時提高（gāo）了抑（yì）製打火及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流（liú）/恒功率模式可選。恒功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重複性（xìng）。
   C 具有理想（xiǎng）的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足磁控（kòng）濺射工藝過程（chéng）的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控（kòng）製/模擬量（liàng）接口控製，可（kě）選配RS485通訊接口。
采（cǎi）用先進（jìn）的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善（shàn）。
該係列（liè）產品采用先進的DSP控製係（xì）統，充（chōng）分（fèn）保證鍍（dù）膜工藝的重複性（xìng），
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又（yòu）提高（gāo）了靶麵清（qīng）洗速度（dù）；
主要參數均可大範圍連續調節（jiē）；
方便維護，可靠（kào）性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實現自動（dòng）化控製（zhì）。

MSB係列（liè）雙極脈衝（chōng）磁控濺（jiàn）射電源（中頻電源（yuán））

主要用途（tú）：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材（cái）料，特別（bié）適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起（qǐ）的異（yì）常放電，預防靶表麵中毒（dú）現象。

在（zài）真空鍍膜電源時，使用（yòng）直流負偏壓電（diàn）源，其中運（yùn）用直流電源，這個電源的電子方向一直統一，會導致單一品種電荷堆積過高與控製源中和。也就是說用來（lái）提供（gòng）動力的正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持續。所以選（xuǎn）用脈衝電源（yuán）。

在真空中製備（bèi）膜層，包含鍍製晶態的金（jīn）屬、半導體（tǐ）、絕緣體等（děng）單質（zhì）或化合物膜。雖然化學汽相堆積（jī）也選用（yòng）減（jiǎn）壓、低壓或等（děng）離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離（lí）子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代，四五（wǔ）十年代開端呈現工業使用，工業化大規（guī）模出（chū）產開端於20世紀（jì）80年（nián）代（dài），在電子、宇航、包裝、裝（zhuāng）潢、燙金印（yìn）刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍（dù）膜是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的方式堆積到資料外表（通常是（shì）非金屬資料），歸於物理氣相堆積工藝。由於鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬（shǔ）或非金屬資料外表真空蒸鍍聚合物等非金屬功用性薄膜。在所有被鍍資猜中，以塑料（liào）樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對於（yú）金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具（jù）有來曆充足、性能易於調控（kòng）、加工方便（biàn）等優勢（shì），因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為（wéi）工程裝（zhuāng）修性結（jié）構資料，大量使用於轎車、家電（diàn）、日用包（bāo）裝、工藝裝修等工（gōng）業（yè）領域。但塑料資（zī）料大多存在外表硬度不高、外觀不行華麗（lì）、耐（nài）磨性低等缺點，如在（zài）塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑（sù）料程亮（liàng）的金（jīn）屬（shǔ）外觀，合適的金屬源還可（kě）大大增加（jiā）資料外表耐磨性能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的（de）功用是多方（fāng）麵的，這（zhè）也決議了其使用場合非常豐富（fù）。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具有（yǒu）超卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。