 
    主要型號:
| 型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸(cùn) | 冷卻方式 | 
| MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 | 
| MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
| MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 | 
主要特(tè)點:
   A 可選擇三角(jiǎo)波、矩形波、正弦(xián)波三種波形,波(bō)形的蕞高值和蕞低(dī)值可獨立設(shè)置。
   B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
   C波形頻率範圍:0.1-50Hz
   D三角波、矩形波占空比10%~90%
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關(guān)器(qì)件,
體積小(xiǎo)、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產(chǎn)品采用先進的DSP控製係統,充分保(bǎo)證鍍膜工藝的重(chóng)複性,
並且具有抑製(zhì)靶材弧光放電及抗短路(lù)功能,
具有極佳的負載匹配(pèi)能力,既(jì)保證了(le)靶麵清洗工藝的穩定性(xìng),又提高了靶麵清洗速(sù)度;
主要參(cān)數均可大範圍連續調節(jiē);
方便維(wéi)護,可(kě)靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能(néng),方(fāng)便實現(xiàn)自動(dòng)化(huà)控(kòng)製。
主要用途(tú):
MS係列勵磁多波形電源(yuán)選擇多種電壓波(bō)形輸出(chū)。通過(guò)驅動多弧靶外圍磁場線圈,產生(shēng)周期(qī)性可(kě)變(biàn)磁磁場,使多弧輝光由(yóu)原來的集中放電(diàn)變為均勻放電,提(tí)高工件膜層質量

現(xiàn)在(zài)工業區,在(zài)範圍(wéi)上擴展的是越(yuè)來越廣(guǎng),跟隨91av行業的發展,現在(zài)機械設備研發的(de)是越(yuè)來越多,當然啦,研發那麽多,在一些加工(gōng)廠家肯定是要應用到的啦,在範圍上,在數量上都不會少,現在91av來了解下真空鍍(dù)膜電源這項項目吧!

1、在光學儀(yí)器中:人們(men)熟悉的光(guāng)學儀器有望遠鏡、顯微鏡(jìng)、照相機(jī)、測(cè)距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡(jìng)、放大鏡等,它們都離(lí)不開(kāi)鍍膜技術(shù),鍍製的薄膜有反射膜、增(zēng)透膜(mó)和吸收膜(mó)等幾種。
2、在信息存儲領域(yù)中:薄膜材料作為(wéi)信息記錄於存儲介質(zhì),有(yǒu)其得(dé)天獨厚的優勢:由於薄膜很薄(báo),可以忽略渦流損耗;磁化反轉極(jí)為迅(xùn)速;與膜麵平行的雙(shuāng)穩態狀態容易保持等。為(wéi)了更精密地記錄與存儲信息(xī),必然要采用鍍膜技術。
3、在傳(chuán)感器方麵:在傳感器中,多采用那些電(diàn)氣性質相對(duì)於物理量、化學量及其變(biàn)化來說,極為敏(mǐn)感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的是半(bàn)導體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因此,采(cǎi)用薄膜(mó)的情況很多。
4、在集成電路製造中(zhōng):晶體管路中(zhōng)的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其(qí)合金(jīn))等,多是采用CVD技術、PVCD技(jì)術、真(zhēn)空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉(chén)積是製備集成電(diàn)路的核(hé)心技術之一。