武漢HVB高壓雙極清洗電（diàn）源（yuán）

主要型號：

主要特點：

   A 采（cǎi）用先（xiān）進的電流型開關電源技術，減（jiǎn）小輸（shū）出儲能（néng）元件，
同時提高了抑製打火及重啟速度。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。
   C 具（jù）有理想（xiǎng）的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足轟擊清洗（xǐ）過程的連續性。
   D 主（zhǔ）要參數可大範圍調節（jiē）。
   E 可選擇手動控製/模擬量（liàng）接口控製，可選配（pèi）RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈（mò）寬調（diào）製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體（tǐ）積小、重量輕、功能全、性能（néng）穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采（cǎi）用先進的DSP控（kòng）製（zhì）係統（tǒng），充分保證鍍膜工（gōng）藝的重複性，
並（bìng）且具有抑（yì）製靶（bǎ）材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵（miàn）清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參（cān）數均可（kě）大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口（kǒu）和RS485接口擴展功（gōng）能，方便實現自動化控（kòng）製。

主要用途：

MSB高壓雙極清洗電源適用於工件鍍膜前的高壓轟擊清洗和鍍矽油保護膜。

在高技術產業化的發展中展現出誘人的市場（chǎng）前景。這種的真空鍍膜技術已在國民經濟各個領域得到應用。真空鍍膜技術是真空應用技術的（de）一個重要分支，它已廣泛地應 用於光學、電子學、能源（yuán）開發（fā）、理化儀器、建築機械、包裝（zhuāng）、民用製品、表麵科（kē）學（xué）以及科學研究等領域中。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發鍍（dù）．濺射（shè）鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子（zǐ）束外延等。這種（zhǒng）真空鍍膜（mó）電源優勢會體現的比較明顯。

選用了領先的PWM脈寬（kuān）調製技術，具有傑出的動態特性和抗（kàng）幹擾才能，動態（tài）呼應時刻（kè）小於10mS。規劃有電壓、電流雙閉環操（cāo）控電路，可實時對（duì）輸（shū）出電（diàn）壓電流（liú）的操控，能有用處理濺射過程中陰極靶麵的不清潔導致弧光放電造成大電流衝擊導致電源的損壞疑問（wèn）。選用數字化DSP操控技術（shù），主動操（cāo）控電源的恒壓恒流狀況。在起弧和維弧時能主動疾速操控電壓電流使起弧和維弧作業更安穩。

真空室裏的堆積（jī）條件跟著時刻發作改動是（shì）常見的表象。在一輪運轉過中，蒸（zhēng）發源的（de）特（tè）性會跟著膜材的耗費而（ér）改動，尤其是規劃中觸及多層（céng）鍍膜時，假如技（jì）術進程需繼續數個小時，真空室的（de）熱梯（tī）度也（yě）會上升。一起，當真空室內壁發作堆積變髒時，不一樣次序的工效逐（zhú）步發生區別。這些要素雖然是漸進（jìn）的並（bìng）可以進行抵償，但仍然大概將其視為體係公役的一部分。