北京MSB中頻磁控濺射（shè）真空鍍膜電（diàn）源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的電流型（xíng）開關電源技術，減小輸出儲能元件，
同時提（tí）高了抑製打火及重啟（qǐ）速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒（héng）功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工（gōng）藝的（de）重複性。
   C 具有理想的（de）電壓陡降特（tè）性，自動識（shí）別偽打火現象，
充分（fèn）滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
   D 主要參數可大（dà）範圍調節
   E 可選擇手動控（kòng）製/模擬量接口控製，可選（xuǎn）配RS485通（tōng）訊接口（kǒu）。
采用先進的PWM脈（mò）寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為（wéi）功率開關器（qì）件，
體積（jī）小、重量輕、功能全、性能穩定可（kě）靠，生產（chǎn）工藝嚴格完善。
該係列產品采用（yòng）先進的DSP控製係統，充分保（bǎo）證鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑製（zhì）靶材弧光放電及抗（kàng）短路（lù）功能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的（de）穩定性，又提高了靶（bǎ）麵清洗速度；
主要參數均可大範圍（wéi）連（lián）續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和（hé）RS485接口擴展（zhǎn）功能，方便實（shí）現自動（dòng）化（huà）控製。

MSB係列雙極脈衝磁控（kòng）濺（jiàn）射電源（中頻電源）

主要（yào）用途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻（pín）孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合於反應磁控濺（jiàn）射。能增加離化率（lǜ），減少電荷積累（lèi）引起的異常放電，預防靶表麵中（zhōng）毒（dú）現象。

在真空鍍膜電源時，使用直流負偏（piān）壓電（diàn）源，其（qí）中運用直流電源，這個電源的電子方向一直統一，會導致單一品種電荷堆積過高與控製（zhì）源中（zhōng）和。也就是說用（yòng）來提供動力的正負極被中和了。然後磁控濺射將不再持（chí）續。所以選用脈衝電源。

在（zài）真空中製備膜（mó）層，包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物（wù）膜（mó）。雖然化學汽相堆積也選用減壓、低壓或等離子（zǐ）體等真空手法，但一般（bān）真空（kōng）鍍膜是指用物（wù）理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有（yǒu）三（sān）種方（fāng）式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現（xiàn）於20世紀30年代，四五十年代開端呈現工業使用，工業化大規模出產開端於20世紀80年代，在電子（zǐ）、宇航、包裝、裝（zhuāng）潢、燙金印刷等工業中（zhōng）獲得廣泛的使用。真空鍍膜（mó）是指在真空環境下，將某種金屬（shǔ）或金屬化合（hé）物以氣相的方式堆積到資料外表（通常是非金屬資料），歸於物理氣相（xiàng）堆積工藝。由於鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化（huà）。廣義的真空鍍膜（mó）還包含（hán）在（zài）金屬或（huò）非金屬資料外表（biǎo）真空蒸鍍聚（jù）合物等非金屬功用性薄膜。在所有（yǒu）被鍍資猜中，以塑料樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對（duì）於金屬、陶瓷、木（mù）材（cái）等資料，塑料具有來曆充足、性（xìng）能易於調控、加工方便等優勢，因此品種（zhǒng）繁多的塑料或其他高分子資料作為工程裝修性（xìng）結（jié）構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資（zī）料（liào）大多存在外表（biǎo）硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性低等缺點，如（rú）在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可（kě）大大增加資料外表耐（nài）磨性能（néng），大大拓寬了塑料的裝修性（xìng）和使（shǐ）用（yòng）範圍。

真空鍍膜的功（gōng）用（yòng）是多方麵的，這也決（jué）議了其使用場合非常豐富。整體（tǐ）來說，真空鍍膜的主要功用包含（hán）賦（fù）予被鍍件外表高度金屬光（guāng）澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異的（de）電磁屏蔽（bì）和導電效（xiào）果。